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IRF820S, SiHF820S
Vishay Siliconix
V GS
V DS
R D
D.U.T.
2.5
2.0
R g
10 V
+
- V DD
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
1.5
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
1.0
0.5
V DS
90 %
0.0
25
50
75
100
125
150
91060_09
T C , Case Temperature (°C)
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P DM
0.1
0.02
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
Notes:
t 1
t 2
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
10 -2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91060_11
Document Number: 91060
S11-1049-Rev. C, 30-May-11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.vishay.com
5
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